非敏化(固溶體)晶間腐蝕是指Cr - Ni奧氏體不銹鋼在高溫(1000 ~ 1150℃)加熱和保溫后快速冷卻后的固溶體狀態(tài)。不需要敏化(焊接或450 ~ 850°C敏化溫度加熱)處理，在某些腐蝕性介質中也會發(fā)生相同的晶間腐蝕。產(chǎn)生非敏化晶間腐蝕的Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅包括普通不銹鋼，還包括耐敏化晶間腐蝕的超低碳不銹鋼和含有穩(wěn)定元素Ti、Nb的不銹鋼。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

奧氏體不銹鋼雖然是一種焊接性能優(yōu)良的鋼，但在焊接熱影響區(qū)相對母材再次受熱，導致熔化線附近碳化物析出，晶間腐蝕嚴重。

將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%，然后淬火。經(jīng)固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體，不會產(chǎn)生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內(nèi)，碳的固溶體不超過0.02%，過飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時,碳會擴散到晶界和結合鐵和鉻在晶界形成硬質合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內(nèi)擴散速度慢得多比在晶界,在晶界區(qū)消耗的鉻沒有時間補充，因此在晶界區(qū)形成鉻貧區(qū)。對于不銹鋼來說，由于晶界鈍化狀態(tài)的破壞，晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區(qū)成為陽極區(qū)，而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態(tài)成為陰極區(qū)。在腐蝕介質中，晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大，陽極面積比小，加速了晶界區(qū)域的腐蝕。