晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。

將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%，然后淬火。經(jīng)固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體，不會產(chǎn)生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內(nèi)，碳的固溶體不超過0.02%，過飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時,碳會擴(kuò)散到晶界和結(jié)合鐵和鉻在晶界形成硬質(zhì)合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內(nèi)擴(kuò)散速度慢得多比在晶界,在晶界區(qū)消耗的鉻沒有時間補(bǔ)充，因此在晶界區(qū)形成鉻貧區(qū)。對于不銹鋼來說，由于晶界鈍化狀態(tài)的破壞，晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區(qū)成為陽極區(qū)，而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態(tài)成為陰極區(qū)。在腐蝕介質(zhì)中，晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大，陽極面積比小，加速了晶界區(qū)域的腐蝕。

目前，為解決硝酸在使用過程中的非敏化晶間腐蝕問題，主要選用高硅(Si ~ 4%)不銹鋼0cr18ni11si4alti、00cr20ni24si4ti、00Cr14Ni14Si4、00cr17ni15si4nb等。

碳對晶間腐蝕有顯著影響。隨著含碳量的增加，晶間腐蝕的趨勢越來越嚴(yán)重。它不僅擴(kuò)大了晶間腐蝕趨勢的加熱溫度和時間范圍，而且加劇了晶間腐蝕程度，提高了固溶溫度。

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