P. Si、B等雜質(zhì)元素沿晶界偏析引起的非敏化晶間腐蝕只是晶界與晶體間形成化學(xué)濃度差而引起的簡(jiǎn)單電化學(xué)腐蝕過(guò)程，或者是偏析導(dǎo)致的晶界耐蝕性下降，或者還有其他因素，需要進(jìn)一步探討。

在常用的Cr - Ni奧氏體不銹鋼中，這種碳化物一般為Cr23C6 [M23C6]。由于該碳化物中Cr含量較高，碳化鉻沿晶界析出，導(dǎo)致碳化物周圍鋼基體中Cr濃度降低，形成所謂的“貧鉻區(qū)”。當(dāng)碳化鉻沿晶界析出成網(wǎng)狀時(shí)，貧鉻區(qū)也在網(wǎng)狀中。不銹鋼的耐腐蝕性是由于鋼中含有足夠的鉻，在介質(zhì)的作用下使鋼在這種介質(zhì)中鈍化。鉻貧區(qū)鉻量不足，使鈍化能力降低甚至消失，而奧氏體晶粒本身仍有足夠的鈍化(耐腐蝕)能力。因此，在腐蝕介質(zhì)的作用下，晶界附近連接成網(wǎng)狀的鉻貧區(qū)會(huì)優(yōu)先溶解，產(chǎn)生晶間腐蝕。

在某些合金介質(zhì)體系中，常發(fā)生嚴(yán)重的晶間腐蝕。例如，奧氏體不銹鋼在弱氧化介質(zhì)(如曝氣海水)或強(qiáng)氧化介質(zhì)(如濃硝酸)等特定腐蝕介質(zhì)中可能產(chǎn)生嚴(yán)重的晶間腐蝕。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。